NXP PUMB2,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-363
The is a dual PNP Resistor Equipped Transistor RET encapsulated in a very small surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.
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- 100mA Output current capability
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- Reduces component count
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- AEC-Q101 Qualified
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-363
高度 1 mm
封装 TSSOP-363
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PUMB2,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5113DW1T1G 安森美 | 功能相似 | PUMB2,115和MUN5113DW1T1G的区别 |
PUMB2 恩智浦 | 功能相似 | PUMB2,115和PUMB2的区别 |