光电晶体管 800nm 6.0mA
800nm 侧视图 径向
得捷:
SENSOR PHOTO 800NM SIDE VIEW RAD
贸泽:
光电晶体管 800nm 6.0mA
艾睿:
No Phototransistor IR Chip Silicon 800nm 2-Pin
安富利:
Phototransistor IR Chip Silicon 800nm 2-Pin
Chip1Stop:
Phototransistor IR Chip Silicon 800nm 2-Pin
Newark:
# SHARP PT480E00000F Phototransistor, 800 nm, 75 mW, 2 Pins, Side Looking
AMEYA360:
PHOTO TRANS CLEAR LEN 800NM SIDE
输出电流 ≤20.0 mA
波长 800 nm
视角 70°
峰值波长 800 nm
极性 NPN
耗散功率 75 mW
功耗 75 mW
上升时间 3.00 µs
击穿电压集电极-发射极 35 V
额定功率Max 75 mW
下降时间 3.5 µs
下降时间Max 3500 ns
上升时间Max 3000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 75 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 Radial
长度 3 mm
宽度 2.95 mm
高度 4 mm
脚长度 17.5 mm
封装 Radial
材质 Silicon
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Test & Measurement, Maintenance & Repair, Communications & Networking, Audio, Sensing & Instrumentation, Consumer Electronics, Automation & Process Control, Computers & Computer Peripherals
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99