PSMN009-100P

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PSMN009-100P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 75.0 A

漏源极电阻 0.0075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

阈值电压 3 V

输入电容 8.25 nF

栅电荷 156 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

输入电容Ciss 8250pF @25VVds

额定功率Max 230 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN009-100P
型号: PSMN009-100P
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
替代型号PSMN009-100P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PSMN009-100P

NXP 恩智浦

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