PMMT591A,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMMT591A,215概述

NXP PMMT591A,215 单晶体管双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFE

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA PMMT591A - SMALL SIGNAL

艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

富昌:
PMMT591A 系列 40 V 1 A 表面贴装 PNP BISS 晶体管 - SOT-23-3

Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

Newark:
# NXP PMMT591A,215 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFE

Win Source:
TRANS PNP 40V 1A SOT23 /

PMMT591A,215中文资料参数规格

技术参数

频率 150 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMMT591A,215

型号： PMMT591A,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PMMT591A,215 单晶体管双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFE

替代型号PMMT591A,215