针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTB113ZT,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTB113ET,215 恩智浦 | 类似代替 | PDTB113ZT,215和PDTB113ET,215的区别 |
DTB113ZKT146 罗姆半导体 | 功能相似 | PDTB113ZT,215和DTB113ZKT146的区别 |
BZX84-C3V9,215 恩智浦 | 功能相似 | PDTB113ZT,215和BZX84-C3V9,215的区别 |