PDTA115ET,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 20mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PDTA115ET,215
型号： PDTA115ET,215
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PDTA115ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -20 mA, 80 hFE
替代型号PDTA115ET,215
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTA115ET,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTA115EM,315 恩智浦 | 完全替代 | PDTA115ET,215和PDTA115EM,315的区别 |