NXP PDTD113ZT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-23
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
PDTD113ZT 系列 50 V 500 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP PDTD113ZT,215 Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 Ratio, SOT-23
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTD113ZT,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTD113ET,215 恩智浦 | 类似代替 | PDTD113ZT,215和PDTD113ET,215的区别 |