PUMB10,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PUMB10,115
型号： PUMB10,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PUMB10,115 双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-363
替代型号PUMB10,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PUMB10,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5135DW1T1G 安森美 | 功能相似 | PUMB10,115和MUN5135DW1T1G的区别 |
BST52 恩智浦 | 功能相似 | PUMB10,115和BST52的区别 |