PUMD15,115

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PUMD15,115概述

NXP  PUMD15,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363

The is a NPN-PNP Resistor Equipped Transistor Array in a surface-mount plastic package. This bipolar device is suitable for low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.

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Built-in bias resistors
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Simplifies circuit design
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Reduces component count
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PUMB15 dual PNP complement
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PUMH15 dual NPN complement
PUMD15,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-88-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SC-88-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, Automation & Process Control, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PUMD15,115
型号: PUMD15,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PUMD15,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363
替代型号PUMD15,115
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