NXP PDTC114EU,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
The is a 10kR NPN Resistor Equipped Transistor RET in a very small surface-mount plastic package.
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- Reduces component count
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- Built-in bias resistors
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- Reduces pick and place costs
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- Simplifies circuit design
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- AEC-Q101 qualified
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- PNP complement is PDTA114EU
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- 09 Marking code
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTC114EU,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTC114EU 恩智浦 | 完全替代 | PDTC114EU,115和PDTC114EU的区别 |
PDTC114EU,135 恩智浦 | 类似代替 | PDTC114EU,115和PDTC114EU,135的区别 |
DTC114EUAT106 罗姆半导体 | 功能相似 | PDTC114EU,115和DTC114EUAT106的区别 |