NXP PBSS5250X,115 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 550 mW, -2 A, 200 hFE
The is a 2A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
- .
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- .
- High collector current capabilities are IC and ICM
- .
- Higher efficiency leading to less heat generation
- .
- Reduced printed-circuit board requirements
- .
- NPN complement is PBSS4250X
- .
- 1L Marking code
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 550 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Signal Processing, Power Management, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS5250X,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS5250X 恩智浦 | 完全替代 | PBSS5250X,115和PBSS5250X的区别 |
PBSS5250X,135 恩智浦 | 类似代替 | PBSS5250X,115和PBSS5250X,135的区别 |