NXP PBSS5350X,115 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 550 mW, -3 A, 200 hFE
The is a 3A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capabilities are IC and ICM
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- Higher efficiency leading to less heat generation
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- Reduced printed-circuit board requirements
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- NPN complement is PBSS4350X
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- S46 Marking code
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 550 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @0.1A, 2V
额定功率Max 1.6 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Signal Processing, Power Management, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS5350X,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS5350X,146 恩智浦 | 完全替代 | PBSS5350X,115和PBSS5350X,146的区别 |
PBSS5350X,135 恩智浦 | 类似代替 | PBSS5350X,115和PBSS5350X,135的区别 |
PBSS5350X,147 恩智浦 | 类似代替 | PBSS5350X,115和PBSS5350X,147的区别 |