NXP PDTD123YT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率, SOT-23
The is a PNP Resistor Equipped Transistor RET encapsulated in a surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.
- .
- 500mA Output current capability
- .
- Reduces component count
- .
- ±10% Resistor ratio tolerance
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTD123YT,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTD123TT,215 恩智浦 | 类似代替 | PDTD123YT,215和PDTD123TT,215的区别 |
PDTD123ET,215 恩智浦 | 类似代替 | PDTD123YT,215和PDTD123ET,215的区别 |