








NXP Semiconductors
Bipolar BJT Transistor NPN 100V 1A 100MHz 1.4W Surface Mount SOT-223
得捷:
TRANS NPN 100V 1A SOT223
欧时:
### 低饱和电压 NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
富昌:
PBSS8110Z 系列 100 V 1 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-223-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 1A 4-Pin 3+Tab SC-73 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
Newark:
# NXP PBSS8110Z,135 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 100 MHz, 650 mW, 1 A, 150 hFE
Win Source:
TRANS NPN 100V 1A SOT223
DeviceMart:
TRANS NPN 100V 1A SOT223
频率 100 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 650 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 150 @250mA, 10V
额定功率Max 1.4 W
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS8110Z,135 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS8110Z 恩智浦 | 完全替代 | PBSS8110Z,135和PBSS8110Z的区别 |
PBSS8110S 恩智浦 | 类似代替 | PBSS8110Z,135和PBSS8110S的区别 |