PBSS8110Z,135

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PBSS8110Z,135概述

NXP Semiconductors

Bipolar BJT Transistor NPN 100V 1A 100MHz 1.4W Surface Mount SOT-223


得捷:
TRANS NPN 100V 1A SOT223


欧时:
### 低饱和电压 NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


富昌:
PBSS8110Z 系列 100 V 1 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-223-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 1A 4-Pin 3+Tab SC-73 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Newark:
# NXP  PBSS8110Z,135  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 100 MHz, 650 mW, 1 A, 150 hFE


Win Source:
TRANS NPN 100V 1A SOT223


DeviceMart:
TRANS NPN 100V 1A SOT223


PBSS8110Z,135中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 650 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 150 @250mA, 10V

额定功率Max 1.4 W

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBSS8110Z,135
型号: PBSS8110Z,135
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP Semiconductors
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PBSS8110Z,135和PBSS8110Z的区别

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