NXP PDTB123YT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
The is a 2.2 to 10kR PNP Resistor Equipped Transistor RET in a small surface-mount plastic package.
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- Reduces pick and place costs
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- Built-in bias resistors
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- Simplifies circuit design
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- Reduces component count
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- AEC-Q101 qualified
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- ±10% Resistor ratio tolerance
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- NPN complement is PDTD123YT
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- 7Y Marking code
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTB123YT,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTB123TT,215 恩智浦 | 类似代替 | PDTB123YT,215和PDTB123TT,215的区别 |
PDTB123ET,215 安世 | 功能相似 | PDTB123YT,215和PDTB123ET,215的区别 |