PDTA114EU,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PDTA114EU,115
型号： PDTA114EU,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PDTA114EU,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 200 mW, -100 mA, 30 hFE
替代型号PDTA114EU,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTA114EU,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTA114EU,135 恩智浦 | 完全替代 | PDTA114EU,115和PDTA114EU,135的区别 |
DDTA114GUA-7 美台 | 类似代替 | PDTA114EU,115和DDTA114GUA-7的区别 |