NXP PBSS4350Z,135 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
The is a NPN low VCEsat Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
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- Low collector-emitter saturation voltage
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- High collector current capabilities of IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- Higher efficiency leading to less heat generation
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- Reduced PCB area requirements compared to DPAK
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- PNP complement is PBSS5350Z
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- PB4350 Marking code
频率 100 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.35 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Signal Processing, Consumer Electronics, Power Management, Lighting, Motor Drive & Control, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS4350Z,135 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS4350Z 安世 | 类似代替 | PBSS4350Z,135和PBSS4350Z的区别 |
PBSS4350Z/T3 恩智浦 | 类似代替 | PBSS4350Z,135和PBSS4350Z/T3的区别 |
BZX84-B2V7 恩智浦 | 功能相似 | PBSS4350Z,135和BZX84-B2V7的区别 |