PMP5501V,115

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PMP5501V,115中文资料参数规格
技术参数

频率 175 MHz

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 290

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMP5501V,115
型号: PMP5501V,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SOT-666 PNP 45V 0.1A
替代型号PMP5501V,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMP5501V,115

NXP 恩智浦

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