PUMB11,115

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PUMB11,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PUMB11,115
型号: PUMB11,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PUMB11,115  双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 30 hFE, SOT-363
替代型号PUMB11,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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