NXP PUMD3,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363
The is a NPN-PNP Resistor Equipped Transistor Array in a surface-mount plastic package. This bipolar device is suitable for low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.
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- Built-in bias resistors
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- Simplifies circuit design
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- Reduces component count
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- PUMB11 dual PNP complement
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- PUMH11 dual NPN complement
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
封装 SOT-363
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, Automation & Process Control, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PUMD3,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PUMD3 恩智浦 | 类似代替 | PUMD3,115和PUMD3的区别 |
MUN5311DW1T1G 安森美 | 功能相似 | PUMD3,115和MUN5311DW1T1G的区别 |
DCX114YU-7-F 美台 | 功能相似 | PUMD3,115和DCX114YU-7-F的区别 |