PUMD12,115

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PUMD12,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-88-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SC-88-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PUMD12,115
型号: PUMD12,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PUMD12,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363
替代型号PUMD12,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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