PBHV8115T,215

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PBHV8115T,215概述

NXP  PBHV8115T,215  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 150 V 1 A 30MHz 300 mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
NEXPERIA PBHV8115T - 150 V, 1 A


艾睿:
Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 150V 1A 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PBHV8115T 系列 150 V 1 A 表面贴装 NPN 高压 低VCEsat BISS 晶体管


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 150V 1A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  PBHV8115T,215  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 10 hFE


Win Source:
TRANS NPN 150V 1A SOT23


PBHV8115T,215中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBHV8115T,215
型号: PBHV8115T,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PBHV8115T,215  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
替代型号PBHV8115T,215
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