NXP PBHV8115T,215 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Bipolar BJT Transistor NPN 150 V 1 A 30MHz 300 mW Surface Mount TO-236AB
得捷:
NEXPERIA PBHV8115T - 150 V, 1 A
艾睿:
Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 150V 1A 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
PBHV8115T 系列 150 V 1 A 表面贴装 NPN 高压 低VCEsat BISS 晶体管
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 150V 1A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP PBHV8115T,215 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 10 hFE
Win Source:
TRANS NPN 150V 1A SOT23
频率 30 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBHV8115T,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBHV8115Z,115 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8115T,215和PBHV8115Z,115的区别 |
PBHV8115T 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8115T,215和PBHV8115T的区别 |