NXP PUMH11,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363
The is a dual NPN Resistor Equipped Transistor Array in a surface-mount plastic package. This bipolar device is suitable for low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.
- .
- Built-in bias resistors
- .
- Simplifies circuit design
- .
- Reduces component count
- .
- PUMB11 dual PNP complement
- .
- PUMD3 NPN-PNP complement
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, Automation & Process Control, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PUMH11,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PUMH11 恩智浦 | 完全替代 | PUMH11,115和PUMH11的区别 |
PUMH10,115 安世 | 功能相似 | PUMH11,115和PUMH10,115的区别 |
PUMH13,115 安世 | 功能相似 | PUMH11,115和PUMH13,115的区别 |