PMZB290UNE概述
NXP PMZB290UNE 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
The is a N-channel enhancement-mode FET in a leadless ultra-small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
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- Very fast switching
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- ESD protection up to 2kV
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- Low threshold voltage
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- Ultra-thin package profile of 0.37mm
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- -55 to 150°C Junction temperature range
PMZB290UNE中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.29 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 715 mW
阈值电压 750 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1A
输入电容Ciss 55pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-883
外形尺寸
长度 1.05 mm
宽度 0.65 mm
高度 0.36 mm
封装 SOT-883
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
在线购买PMZB290UNE
型号： PMZB290UNE
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PMZB290UNE 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV