PBSS5540Z,115

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PBSS5540Z,115中文资料参数规格
技术参数

频率 120 MHz

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 1.35 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 150 @2A, 2V

最大电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 350

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBSS5540Z,115
型号: PBSS5540Z,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PBSS5540Z,115  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 120 MHz, 1.35 W, -5 A, 350 hFE
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