PDTA123JT,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PDTA123JT,215
型号： PDTA123JT,215
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PDTA123JT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 100 hFE
替代型号PDTA123JT,215
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTA123JT,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTA123JK,115 恩智浦 | 完全替代 | PDTA123JT,215和PDTA123JK,115的区别 |
PDTA123JTVL 恩智浦 | 完全替代 | PDTA123JT,215和PDTA123JTVL的区别 |