PBSS4160V,115中文资料参数规格
技术参数
频率 220 MHz
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 250 @1mA, 5V
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 400
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
外形尺寸
封装 SOT-666
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PBSS4160V,115
型号： PBSS4160V,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：PBSS4160V 系列 60 V 1 A 0.5 W 表面贴装 NPN 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-666
替代型号PBSS4160V,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS4160V,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS4160V 恩智浦 | 完全替代 | PBSS4160V,115和PBSS4160V的区别 |