PIMC31,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 290 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5mA
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V
额定功率Max 420 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 420 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买PIMC31,115
型号： PIMC31,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PIMC31,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-457
替代型号PIMC31,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PIMC31,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
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