NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R5-60YS,115, 100 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-669封装
N 通道 MOSFET，60V 至 80V，Nexperia
得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
Newark:
# NXP PSMN5R5-60YS,115 MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 3.6 mohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
漏源极电阻 0.0036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 3501pF @30VVds
额定功率Max 130 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PSMN5R5-60YS,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
HAT2266H-EL-E 瑞萨电子 | 功能相似 | PSMN5R5-60YS,115和HAT2266H-EL-E的区别 |