NXP PMGD400UN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 710mA 410mW 表面贴装型 6-TSSOP
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
e络盟:
NXP PMGD400UN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.71A 6-Pin TSSOP T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
DeviceMart:
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP
针脚数 6
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 410 mW
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 710 mA
输入电容Ciss 43pF @25VVds
额定功率Max 410 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 410 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-323-6
高度 1 mm
封装 SOT-323-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMGD400UN,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |