






NXP PMV117EN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V
N-Channel 30V 2.5A Tc 830mW Tc Surface Mount TO-236AB SOT23
得捷:
MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB
e络盟:
NXP PMV117EN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TO-236AB T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
针脚数 3
漏源极电阻 0.074 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
输入电容Ciss 147pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMV117EN,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
NTR4503NT1G 安森美 | 功能相似 | PMV117EN,215和NTR4503NT1G的区别 |
IRLML2030TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | PMV117EN,215和IRLML2030TRPBF的区别 |
MGSF1N03LT1G 安森美 | 功能相似 | PMV117EN,215和MGSF1N03LT1G的区别 |