PUMH10,115

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PUMH10,115概述

NXP  PUMH10,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SOT-363

The is a dual NPN Resistor Equipped Transistor RET housed in surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplified circuit design. It is designed for use with low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.

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100mA Output current capability
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Reduces component count
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Reduces pick and place costs
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AEC-Q101 qualified
PUMH10,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PUMH10,115
型号: PUMH10,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PUMH10,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SOT-363
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