PMZB670UPE

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PMZB670UPE概述

P 通道 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

The is a P-channel enhancement-mode FET in a leadless ultra-small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, high-side load-switch and switching circuit applications.

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Very fast switching
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ESD protection up to 2kV
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Low threshold voltage
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Ultra-thin package profile of 0.37mm
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-55 to 150°C Junction temperature range
PMZB670UPE中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.67 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 360 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.68A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-883

外形尺寸

长度 1.05 mm

宽度 0.65 mm

高度 0.36 mm

封装 SOT-883

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMZB670UPE
型号: PMZB670UPE
制造商: NXP 恩智浦
描述:P 通道 MOSFET,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

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