PSMN4R3-80ES

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PSMN4R3-80ES中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 306 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 120A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-226

外形尺寸

封装 SOT-226

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN4R3-80ES
型号: PSMN4R3-80ES
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道80 V,在I2PAK 4.3 mΩ的标准电平MOSFET N-channel 80 V, 4.3 mΩ standard level MOSFET in I2PAK

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