PDTA115EE,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTA115EE,115概述

NXP PDTA115EE,115 晶体管双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -20 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 电阻比率, SOT-416

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 20mA 150mW Surface Mount SC-75

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

e络盟:
NXP PDTA115EE,115 晶体管双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -20 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 电阻比率, SOT-416

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 20mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R

Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 20mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

PDTA115EE,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 SC-75-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTA115EE,115

型号： PDTA115EE,115

描述：NXP PDTA115EE,115 晶体管双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -20 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 电阻比率, SOT-416

替代型号PDTA115EE,115