PDTA123EE,115

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PDTA123EE,115概述

NXP  PDTA123EE,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 150 mW, -100 mA, 30 hFE

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SC-75


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75


PDTA123EE,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

封装 SC-75-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTA123EE,115
型号: PDTA123EE,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTA123EE,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 150 mW, -100 mA, 30 hFE
替代型号PDTA123EE,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTA123EE,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

DTA123EETL

罗姆半导体

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