PDTC143TE,115

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PDTC143TE,115概述

NXP  PDTC143TE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 200 hFE

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


e络盟:
NXP  PDTC143TE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 200 hFE


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


PDTC143TE,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

高度 0.85 mm

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTC143TE,115
型号: PDTC143TE,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTC143TE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 200 hFE
替代型号PDTC143TE,115
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