PMN23UN,135

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PMN23UN,135概述

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6Pin TSOP T/R

表面贴装型 N 通道 20 V 6.3A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP


得捷:
MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6-Pin TSOP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6-Pin TSOP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP


PMN23UN,135中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.75 W

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6.30 A

上升时间 14.5 ns

输入电容Ciss 740pF @10VVds

额定功率Max 1.75 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457-6

外形尺寸

封装 SOT-457-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMN23UN,135
型号: PMN23UN,135
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6Pin TSOP T/R
替代型号PMN23UN,135
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMN23UN,135

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PMN23UN,165

恩智浦

完全替代

PMN23UN,135和PMN23UN,165的区别

SI3442BDV-T1-E3

威世

功能相似

PMN23UN,135和SI3442BDV-T1-E3的区别

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