PMEG4010BEV,115

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PMEG4010BEV,115中文资料参数规格
技术参数

正向电压 640mV @1A

热阻 80℃/W RθJL

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 10 A

正向电压Max 640mV @1A

正向电流Max 1000 mA

工作温度Max 150 ℃

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

宽度 1.3 mm

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMEG4010BEV,115
型号: PMEG4010BEV,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Diode Schottky 40V 1A 6Pin SOT-666 T/R
替代型号PMEG4010BEV,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMEG4010BEV,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

CMLSH1-40

Central Semiconductor

功能相似

PMEG4010BEV,115和CMLSH1-40的区别

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