NXP PUMH1,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363
The is a dual NPN Resistor Equipped Transistor Array in a surface-mount plastic package. This bipolar device is suitable for low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.
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- Built-in bias resistors
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- Simplifies circuit design
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- Reduces component count
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- PUMB1 dual PNP complement
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- PUMD2 NPN-PNP complement
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-88-6
高度 1 mm
封装 SC-88-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, Automation & Process Control, Automotive, Computers & Computer Peripherals
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PUMH1,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PUMH10,115 安世 | 功能相似 | PUMH1,115和PUMH10,115的区别 |
PUMH13,115 安世 | 功能相似 | PUMH1,115和PUMH13,115的区别 |
PUMH11,115 安世 | 功能相似 | PUMH1,115和PUMH11,115的区别 |