PMD9003D参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PMD9003D图片1

PMD9003D图片2

PMD9003D图片3

PMD9003D中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN, PNP

耗散功率 290 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMD9003D

型号： PMD9003D

制造商： NXP 恩智浦

描述：MOSFET驱动器 MOSFET driver

替代型号PMD9003D

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PMD9003D

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PMD9003D,115

恩智浦

功能相似

PMD9003D和PMD9003D,115的区别