





NXP PMBT2369 单晶体管 双极, 开关, NPN, 15 V, 500 MHz, 250 mW, 200 mA, 20 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 15V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 500MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN switching transistors FEATURES • Low current max. 200 mA • Low voltage max. 15 V. APPLICATIONS • High-speed switching, especially in portable equipment. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. 描述与应用| NPN开关 特点 •低电流(最大200毫安) •低电压(最大15 V)。 应用 •高速切换,特别是在便携式设备。 说明 NPN开关晶体管在SOT23塑料包装。
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 20
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Portable Devices, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMBT2369 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT2369ALT1G 安森美 | 功能相似 | PMBT2369和MMBT2369ALT1G的区别 |
MMBT2369LT1G 安森美 | 功能相似 | PMBT2369和MMBT2369LT1G的区别 |
MMBT2369A 飞兆/仙童 | 功能相似 | PMBT2369和MMBT2369A的区别 |