PHK12NQ03LT

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PHK12NQ03LT中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 11.8 A

输入电容Ciss 1335pF @16VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PHK12NQ03LT
型号: PHK12NQ03LT
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道的TrenchMOS ?逻辑电平FET N-channel TrenchMOS?? logic level FET
替代型号PHK12NQ03LT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PHK12NQ03LT

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PHK12NQ03LT,518

恩智浦

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