PEMD13,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PEMD13,115概述

SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SS-Mini T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

Newark:
# NXP PEMD13,115 Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 Ratio, SOT-666

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

PEMD13,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN, PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PEMD13,115

型号： PEMD13,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA

替代型号PEMD13,115