PDTC143XU,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PDTC143XU,115
型号： PDTC143XU,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PDTC143XU,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-323
替代型号PDTC143XU,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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