PDTB113ET,215参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PDTB113ET,215中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTB113ET,215

型号： PDTB113ET,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：TO-236AB PNP 50V 500mA

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