PDTB114ET参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PDTB114ET图片3

PDTB114ET中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTB114ET

型号： PDTB114ET

制造商： NXP 恩智浦

描述：PNP电阻配备晶体管 PNP resistor-equipped transistor

替代型号PDTB114ET

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PDTB114ET NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
DTC144TUAT106 罗姆半导体	功能相似	PDTB114ET和DTC144TUAT106的区别
BCR139 英飞凌	功能相似	PDTB114ET和BCR139的区别
BCR189 英飞凌	功能相似	PDTB114ET和BCR189的区别