PSMN013-80YS,115

PSMN013-80YS,115图片1
PSMN013-80YS,115图片2
PSMN013-80YS,115图片3
PSMN013-80YS,115图片4
PSMN013-80YS,115图片5
PSMN013-80YS,115图片6
PSMN013-80YS,115图片7
PSMN013-80YS,115图片8
PSMN013-80YS,115图片9
PSMN013-80YS,115图片10
PSMN013-80YS,115中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0097 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 106 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 2420pF @40VVds

额定功率Max 106 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 106W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN013-80YS,115
型号: PSMN013-80YS,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5Pin4+Tab LFPAK T/R

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司