PDTA143ET,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTA143ET,215中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 180 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTA143ET,215

型号： PDTA143ET,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PDTA143ET,215 单晶体管双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, -100 mA, 30 hFE

替代型号PDTA143ET,215