PHK 系列 30 V 14 mΩ 2.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-96-1
N-Channel 30 V 11.8A Tj 2.5W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
NEXPERIA PHK12NQ03LT - 11.8A, 30
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin SO T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin SO T/R
富昌:
PHK 系列 30 V 14 mΩ 2.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-96-1
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin SO T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin SO T/R
Newark:
# NXP PHK12NQ03LT,518 MOSFET Transistor, N Channel, 11.8 A, 30 V, 8.9 mohm, 10 V, 2 V
漏源极电阻 0.0089 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 11.8 A
上升时间 11.7 ns
输入电容Ciss 1335pF @16VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.45 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PHK12NQ03LT,518 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PHK12NQ03LT 恩智浦 | 类似代替 | PHK12NQ03LT,518和PHK12NQ03LT的区别 |
STS11NF30L 意法半导体 | 功能相似 | PHK12NQ03LT,518和STS11NF30L的区别 |
FDS6612A 飞兆/仙童 | 功能相似 | PHK12NQ03LT,518和FDS6612A的区别 |